DTA114ESA Ver la hoja de datos (PDF) - ROHM Semiconductor
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
DTA114ESA Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
Transistors
DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA
DTA114ECA / DTA114EKA / DTA114ESA
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
M
Limits(DTA114E )
Unit
E
UA
CA
KA
SA
Supply voltage
VCC
−50
V
Input voltage
VIN
−40~+10
V
IO
−50
Output current
mA
IC(Max.)
−100
Power dissipation
Pd
150
200
300
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
−55~+150
°C
!Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Input voltage
VI(off)
−
VI(on)
−3
− −0.5
VCC=−5V, IO=−100µA
V
−
−
VO=−0.3V, IO=−10mA
Output voltage
VO(on)
−
− −0.3 V IO/II=−10mA/−0.5mA
Input current
II
−
− −0.88 mA VI=−5V
Output current
IO(off)
−
−
−0.5 µA VCC=−50V, VI=0V
DC current gain
GI
30
−
−
− VO=−5V, IO=−5mA
Input resistance
R1
7
10
13
kΩ
−
Resistance ratio
R2/R1 0.8
1
1.2
−
−
Transition frequency
fT
−
250
− MHz VCE=−10V, IE=5mA, f=100MHz ∗
∗ Transition frequency of the device
!Packaging specifications
Package
Packaging type
Code
VMT3
Taping
T2L
Type
Basic ordering
unit (pieces)
DTA114EM
DTA114EE
DTA114EUA
DTA114ECA
DTA114EKA
DTA114ESA
8000
−
−
−
−
−
EMT3
Taping
TL
3000
−
−
−
−
−
UMT3
Taping
T106
SST3
Taping
T116
3000
3000
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
SMT3
Taping
T146
3000
−
−
−
−
−
SPT
Taping
TP
5000
−
−
−
−
−
Share Link: 