R6042JNZ4 Ver la hoja de datos (PDF) - ROHM Semiconductor

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

R6042JNZ4

Nch 600V 42A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6042JNZ4

　　Nch 600V 42A Power MOSFET

　　 Datasheet

lOutline

VDSS

600V

TO-247G

　

RDS(on)(Max.)

0.104Ω

　

ID

±42A

　

PD

495W

　

　

　　　　　　

lFeatures

1) Fast reverse recovery time (trr)

2) Low on-resistance

3) Fast switching speed

4) Drive circuits can be simple

5) Pb-free plating ; RoHS compliant

lInner circuit

lApplication

Switching applications

lPackaging specifications

Packing

Tube

Packing code

C13

Marking

R6042JNZ4

Basic ordering unit (pcs)

600

lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain - Source voltage

VDSS

600

V

Continuous drain current (Tc = 25°C)

ID*1

±42

A

Pulsed drain current

IDP*2

±126

A

Gate - Source voltage

VGSS

±30

V

Avalanche current, single pulse

IAS*3

8.9

A

Avalanche energy, single pulse

EAS*3

871

mJ

Power dissipation (Tc = 25°C)

PD

495

W

Junction temperature

Tj

150

℃

Operating junction and storage temperature range

Tstg

-55 to +150

℃

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20181201 - Rev.001

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