Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Número de pieza
componentes Descripción
TJ20A10M3 Ver la hoja de datos (PDF) - Toshiba
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
TJ20A10M3
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI)
Toshiba
TJ20A10M3 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
I
D
– V
DS
−
20
Common source
−
10
Tc
=
25°C
−
4.5
−
4.2
Pulse Test
−
16
−
5
−
4
−
6
−
12
−
3.9
−
8
−
3.8
−
4
−
3.7
VGS
= −
3.6 V
0
0
−
0.6
−
1.2
−
1.8
−
2.4
−
3.0
Drain-source voltage VDS (V)
TJ20A10M3
−
60
Common source
Tc
=
25°C
Pulse Test
−
48
I
D
– V
DS
−
10
−
5
−
4.5
−
6
−
4.2
−
36
−
24
−
12
0
0
−
4
−
3.9
−
3.8
VGS
= −
3.7 V
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Drain-source voltage VDS (V)
−
20
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse Test
−
16
I
D
– V
GS
−
12
−
8
−
4
Tc
= −
55°C
100
25
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Gate-source voltage VGS (V)
−
2.0
−
1.6
−
1.2
−
0.8
−
0.4
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Tc
=
25°C
Pulse Test
ID
= −
20 A
−
10
−
5
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Gate-source voltage VGS (V)
100
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse Test
|Y
fs
| – I
D
Tc
= −
55°C
25
100
10
1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
Drain current ID (A)
1000
Common source
Tc
=
25°C
Pulse Test
R
DS (ON)
– I
D
100
VGS
= −
10 V
10
−
1
−
10
−
100
Drain current ID (A)
3
2018-06-01
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]