2SCR563F3TR Ver la hoja de datos (PDF) - ROHM Semiconductor

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

2SCR563F3TR

NPN 6A 50V Middle Power Transistor

ROHM Semiconductor 

2SCR563F3

NPN 6A 50V Middle Power Transistor

Parameter

Value

VCEO

50V

IC

6A

lOutline

　 DFN2020-3S

　

　

　

　

　

HUML2020L3

　

lFeatures

1) Suitable for Middle Power Driver.

2) Low VCE(sat)

　　VCE(sat)=350mV(Max.).

　　(IC/IB=3A/150mA)

3) High collector current.

　　IC=6A(max),ICP=12A(max)

4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)

　　Excellent thermal and electrical conductivity.

lInner circuit

Datasheet

lApplication

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

lPackaging specifications

Part No.

Package

Taping Reel size Tape width Quantity

code (mm) (mm) (pcs)

2SCR563F3

DFN2020-3S

(HUML2020L3)

TR

180

8

3000

Marking

NE

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20200722 - Rev.001

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