S30VT80 Ver la hoja de datos (PDF) - Shindengen
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
S30VT80 Datasheet PDF : 4 Pages
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3 Phase Bridge Diode
S30VT□
800V 30A
特長
• 小型３相ブリッジ
• ファストン端子
• 基板実装対応
Feature
• 3 Phase-Bridge
• Faston terminal
• PCB-Mount available
■定格表 RATINGS
モジュール型
Module
■外観図 OUTLINE
Package：SVT
24
品名
Type No.
ロット記号（例）
Date code
Unit : mm
Weight : 31g（typ.）
36
①
＋
④③②
36
⑤
−
①
④③②
⑤
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection.”
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No. S30VT60 S30VT80
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
I2t
Vdis
TOR
50Hz 正弦波，抵抗負荷，フィン付き，Tc = 121℃
50Hz sine wave, Resistance load, With heatsink, Tc = 121℃
50Hz 正弦波、非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃，１素子当たり
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃, per diode
1ms≦t＜10ms，Tj
=
25℃，
１素子当たりの規格値
per diode
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.6 N・m）
（Recommended torque : 0.6 N・m）
−40〜150
150
600
800
30
400
800
2
0.8
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
kV
N・m
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IR
θjc
IF = 10A,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR = VRM,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間
Junction to Case
MAX 1.05
MAX 10
MAX 0.5
V
μA
℃/W
170 （J534-1）
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