K1V(A)16 Ver la hoja de datos (PDF) - Shindengen
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
K1V(A)16 Datasheet PDF : 4 Pages
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オン電圧 -オン電流
On-state Voltage vs On-state Current
５
２
Tl ＝１２５℃（TYP）
Tl ＝ ２５℃（TYP）
１
０．５
電力損失曲線
Power Dissipation
１．６
Tj＝１２５℃
１．４ Sine wave
Conduction angle １８０°
１．２
１
０．８
０．６
０．４
過渡熱抵抗
Transient Thermal Resistance
５００
θja
１００
θj l
１０
Mounted on P.C.B.
１
２０mm
l
Pulse measurement
０．２０．６ ０．８ １ １．２ １．４ １．６ １．８ ２
Instantaneous On-state Voltage VT〔V〕
I H- Tj 特性
Holding Current vs Junction Temperature
２
TYP
Pulse measurement
１５.
１
０５.
０−４０ −２０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０
Junction Temperature Tj〔℃〕
サージオン電流
Surge On-state Current（ITSM）
２５
Non repetitive
Sine wave ５０Hz
Conduction angle １８０°
２０
Free in air
Tj＝２５℃
１５
１０
５
０１
２
５ １０ ２０
Number of Cycles
５０ １００
最大周囲温度
Maximum Ambient Temperature
０．８
Mounted on P.C.B.
０．７
20mm
l
０．６
Soldering land ３mmφ
０．５
l ＝２〜１５mm
０．２
００ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８ １ １．２ １．４
On-state Current IT（r.m.s.）〔A〕
VBO- Tj 特性
Breakover Voltage vs Junction Temperature
１．１
１．０５
１
０．９５
０．９
０．８５
TYP
Pulse measurement
Peak hold method
０．８−４０ −２０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０
Junction Temperature Tj〔℃〕
せん頭パルス電流
Pulse On-state Current Rating（ITRM）
１０００
Current wave form
５００
２００
diT/dt limit line
１００
５０
IP
０ to
１/f
Ta＝２５℃
Free in air
Sine wave
f ＝１〜１２０Hz
２０
１０
f＝１kHz
５
f＝５kHz
２
１１ ２
５ １０ ２０
５０ １００ ２００
Pulse Base Width to〔μs〕
０．１
０．０３０．０0０１ ０．００１
Soldering land ３mmφ
l ＝２〜１５mm
０．０１ ０．１ １ １０ １００ １０００
Time t〔sec.〕
最大リード温度
Max. Lead Temperature
１．４
１．２
Tj＝１２５℃
Sine wave
Conduction angle １８０°
１
０．８
０．６
０．４
０．２
０ ４０
６０
８０
１００
１２０
１４０
Allowable Lead Temperature Tl〔℃〕
せん頭パルス電流ディレーティング
Pulse On-state Current Derating（ITRM）
１．２
Current wave form
IP
１
０ to
１/f
Free in air
０．８
Sine wave
０．６
f ＝１〜１２０Hz
f ＝１〜５kHz
０．４
０．２
００ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０
Allowable Ambient Temperature Ta〔℃〕
０．４
０．３
０．２
０．１
００ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０
Allowable Ambient Temperature Ta〔℃〕
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