PBMB100B12 Ver la hoja de datos (PDF) - National Instruments Corporation
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
PBMB100B12 Datasheet PDF : 3 Pages
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□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
3
4
5
2
QMS7301-302M0170 (2/4)
Full Bridge ＩＧＢＴ Module
１００Ａ／１２００Ｖ
ＰＢＭＢ１００Ｂ１２
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
4-Ø 6.5
110.0
14
13
9
4-M6
1
2
3
1
7
6
11
12
8
9
10
24
25
25 24
93.0
18 7 18 7 18
8-fasten tab
#110
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （at TC=25℃ unless otherwise specified）
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
締め付けトルク
Ｍounting Ｔorque
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＣＥＳ
ＶＧＥＳ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
Ｔｊ
Ｔｓｔｇ
ＶＩＳＯ
Ｆｔｏｒ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
±２０
１００
２００
５２０
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ(ＲＭＳ)
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （at Tj=25℃ unless otherwise specified）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｌ eakage Ｃ urrent
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime
スイッチング時間
Ｓ witching Ｔ ime
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
ＶＣＥ(sat)
ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V
ＶＧＥ(th) ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA
Ｃｉｅｓ
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
ＶＣＣ= 600V
ＲＬ= 6.0Ω
ＲＧ= 10Ω
ＶＧＥ= ±15V
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
－
Ｍａｘ.
２.０
Ｕｎｉｔ
ｍＡ
－
－
１.０
μＡ
－
１.９ ２.４
Ｖ
４.０
－
８.０
Ｖ
－
8,300
－
ｐＦ
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□ フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at TC=25℃） ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at Tj=25℃）
Ｉｔｅｍ
順
電
流
Ｆ orward Ｃ urrent
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１００
２００
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＦ
ｔｒｒ
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
Ｔ hermal Ｉ mpedance
ＩＧＢＴ
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 200A/μs
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
１.９
Ｍａｘ.
２.４
Ｕｎｉｔ
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.２４
０.４２
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
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