MMBTA92 Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
MMBTA92 Datasheet PDF : 2 Pages
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MMBTA92 / MMBTA93
MMBTA92 / MMBTA93
PNP
Surface mount High Voltage Transistors
Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage
Version 2005-06-21
2.9 ±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA92
MMBTA93
300 V
200 V
300 V
200 V
5V
250 mW 1)
500 mA
-65...+150°C
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 200 V
IE = 0, - VCB = 160 V
MMBTA92
MMBTA93
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IC = 0, - VEB = 3 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- ICB0
- ICB0
- IEB0
- VCEsat
- VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
–
–
250 nA
–
–
250 nA
–
–
100 nA
–
–
500 mV
–
–
900 mV
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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