DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

Q62702-P1051 Ver la hoja de datos (PDF) - OSRAM GmbH

Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
Q62702-P1051 Datasheet PDF : 5 Pages
1 2 3 4 5
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt TS
bei Lötzeit t 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from case
bottom (t 3 s)
Sperrspannung
VR
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Ptot
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Symbol
Symbol
IP
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
IR
SFH 225 FA
Wert
Value
40 + 80
Einheit
Unit
°C
230
°C
20
V
150
mW
Wert
Value
34 (25)
Einheit
Unit
µA
900
nm
740 1120 nm
4.84
mm2
2.20 × 2.20 mm × mm
0.6 0.8
mm
± 60
2 (30)
Grad
deg.
nA
2001-02-22
2

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]