BZW06-5V8 Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
BZW06-5V8 Datasheet PDF : 3 Pages
| |||
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2017-08-18
~DO-15 / ~DO-204AC
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Ø 3±0.05
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Ø 0.8±0.05
Mechanical Data 1)
Taped in ammo pack
Weight approx.
Case material
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
PPPM = 600W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
RoHS
Pb
4000
0.4 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet in Ammo-Pack
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60Hz Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 75°C
PPPM
PM(AV)
IFSM
Tj
TS
Grenzwerte 2)
600 W 3)
5 W 4)
100 A 5)
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
VF
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
RthL
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
5 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
Kennwerte
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
<45 K/W 4)
<15 K/W
1
Share Link: 