MMBT5551(2007) Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

MMBT5551
(Rev.:2007)

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Diotec Semiconductor Germany  

MMBT5551

MMBT5551

NPN

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2007-11-09

2.9 ±0.1

1.1

0.4

3

Type

Code

1

2

1.9

Dimensions - Maße [mm]

1=B 2=E 3=C

Power dissipation – Verlustleistung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

NPN

250 mW

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

Maximum ratings (TA = 25°C)

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

VCBO

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

VEBO

Power dissipation – Verlustleistung

Ptot

Collector current – Kollektorstrom (dc)

IC

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Tj

Storage temperature – Lagerungstemperatur

TS

Grenzwerte (TA = 25°C)

MMBT5551

160 V

180 V

6V

250 mW 1)

600 mA

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (Tj = 25°C)

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)

IC = 1 mA, VCE = 5 V

MMBT5550 hFE

MMBT5551 hFE

IC = 10 mA, VCE = 5 V

MMBT5550 hFE

MMBT5551 hFE

IC = 50 mA, VCE = 5 V

MMBT5550 hFE

MMBT5551 hFE

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)

IC = 10 mA, IB = 1 mA

MMBT5550

MMBT5551

VCEsat

VCEsat

IC = 50 mA, IB = 5 mA

MMBT5550

MMBT5551

VCEsat

VCEsat

Kennwerte (Tj = 25°C)

Min.

Typ.

Max.

60

–

–

80

–

–

60

–

250

80

–

250

20

–

–

30

–

–

–

–

0.15 V

–

–

0.15 V

–

–

0.25 V

–

–

0.20 V

1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

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