DAN208 Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

DAN208

Silicon-Twin Diodes Center tap

Diotec Semiconductor Germany  

DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj – 50…+150/C

TS – 50…+150/C

Characteristics

Forward voltage

Durchlaßspannung

Leakage current

Sperrstrom

Tj = 25/C

Tj = 25/C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

IF = 1 A

VR = 100 V

Kennwerte

VF

< 1.2 V 1)

IR

< 10 :A

RthA < 45 K/W 2)

1) Valid for one diode – Gültig für eine Diode

2) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten

28.02.2002

355

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