Q62702-P1630 Ver la hoja de datos (PDF) - Infineon Technologies

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

Q62702-P1630

Laser Diode in TO-220 Package 1.5 W cw

Infineon Technologies 

Diodenkennwerte (TA = 25 °C)

Diode Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Zentrale Emissionswellenlänge1)

Emission wavelength1)

Symbol

Symbol

λpeak

Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1)

∆λ

Spectral width (FWHM)1)

Opt. Ausgangsleistung im Betriebspunkt

Pop

Output power

Differentielle Effizienz

808 nm η

Differential efficiency

850 nm

940 nm

975 nm

Schwellstrom

Threshold current

808 nm Ith

850 nm

940 nm

975 nm

Betriebsstrom1)

Iop

Operating current1)

Betriebsspannung1)2)

Vop

Operating voltage1)2)

Differentieller Serienwiderstand

Rs

Differential series resistance

Strahldivergenz (Halbwertsbreite)

Beam divergence (FWHM)

θ|| × θ⊥

Charakteristische Temperatur (Schwelle)3) T0

Characteristic temperature (threshold)3)

Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms ∂Iop/Iop∂T

Temperature coefficient of operating current

Temperaturkoeffizient der Wellenlänge4)

Temperature coefficient of wavelength4)

∂λ/∂T

min.

805

840

930

970

–

–

0.90

0.85

0.75

0.75

0.50

0.50

0.30

0.30

1.80

–

–

–

–

–

–

SPL 2Yxx

Wert

Values

typ.

808

850

940

975

3

max.

811

860

950

980

–

1.5

–

1.10

1.3

1.00

1.3

0.90

1.1

0.90

1.1

0.70

0.85

0.65

0.80

0.45

0.60

0.40

0.55

2.10

2.60

1.85

–

0.15

0.4

10° × 10° –

150

–

0.5

–

0.3

–

Einheit

Unit

nm

nm

W

W/A

A

A

V

Ω

Grad

deg.

K

%/K

nm/K

2000-01-01

3

OPTO SEMICONDUCTORS

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