BPX65 Ver la hoja de datos (PDF) - Siemens AG

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

BPX65

Silicon PIN Photodiode

Siemens AG 

BPX 65

BPX 66

Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung

Description

Dunkelstrom

Dark current

BPX 65: VR = 20 V

BPX 66: VR = 1 V

Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

Spectral sensitivity

Quantenausbeute, λ = 850 nm

Quantum yield

Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix

Open-circuit voltage

Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix

Short-circuit current

Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

RL= 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA

Durchlaβspannung, IF = 100 mA, E = 0

Forward voltage

Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Temperaturkoeffizient von VL

Temperature coefficient of VL

Temperaturkoeffizient von IK

Temperature coefficient of IK

Rauschäquivalente Strahlungsleistung

Noise equivalent power

VR = 20 V, λ = 850 nm

Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm

Detection limit

Symbol

Symbol

IR

Sλ

η

VL

IK

tr, tf

VF

C0

TCV

TCI

NEP

D*

Wert

Value

Einheit

Unit

1 (≤ 5)

0.15 (≤ 0.3)

0.55

0.80

320 (≥ 270)

10

12

nA

A/W

Electrons

Photon

mV

µA

ns

1.3

11

–2.6

0.2

3.3 x 10–14

3.1 x 1012

V

pF

mV/K

%/K

W

√Hz

cm · √Hz

W

Semiconductor Group

344

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