MC33349N-4R1 Ver la hoja de datos (PDF) - ON Semiconductor
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
MC33349N-4R1 Datasheet PDF : 12 Pages
| |||
MC33349
MAXIMUM RATINGS
Characteristics
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply Voltage (Pin 5 to Pin 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Input Voltage
P– Pin Voltage (Pin 5 to Pin 2)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Ct Pin (Pin 4 to Pin 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Output Voltage
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ CO Pin Voltage (Pin 3 to Pin 2)
DO Pin Voltage (Pin 1 to Pin 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Power Dissipation
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Operating Junction Temperature
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Storage Temperature
Symbol
VDD
VP–
VCt
VCO
VDO
PD
TJ
Tstg
Value
Unit
–0.3 to 12
V
VDD – 28 to VDD + 0.3
V
Gnd – 0.3 to VDD + 0.3
V
VDD – 28 to VDD + 0.3
V
Gnd – 0.3 to VDD + 0.3
V
150
mW
–40 to 85
°C
–55 to 125
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ct = 0.01 µF, TA = 25°C, for min/max values TA is the operating junction temperature range
that applies, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit Note1
VOLTAGE SENSING
Cell Charging Cutoff (Pin 5 to Pin 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Overvoltage Threshold, VDD Increasing
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ –3, –4 Suffix
VDET1
4.2
4.25
B
4.3
V
–7 Suffix
Overvoltage Hysteresis VDD Decreasing
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Cell Discharging Cutoff (Pin 5 to Pin 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Undervoltage Threshold, VDD Decreasing
4.3
4.35
4.4
V
VHYS1
150
200
250
mV
B
C
VDET2
2.437
2.5
2.563
V
Overvoltage Delay Time (Ct = 0.01 µF, VDD = 3.6V to 4.5V)
t(DET1)
55
80
105
ms
B
Undervoltage Delay Time (VDD = 3.6V to 2.4V)
t(DET2)
7.0
10
13
ms
C
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ CURRENT SENSING
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Excess Current Threshold (Detect rising edge of P– pin voltage) VDET3
D
–3, –7 Suffix
170
200
230
mV
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ –4 Suffix
45
75
105
mV
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Short Protection Voltage (VDD = 3.0V)
VSHORT VDD – 1.1 VDD – 0.8 VDD – 0.5 V
D
Current Limit Delay Time (VDD = 3.0V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Reset Resistance for Short Protection
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ OUTPUTS
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ CO Nch On Voltage (IO = 50 µA, VDD = 4.4V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ CO Pch On Voltage (IO = –50 µA, VDD = 3.9V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ DO Nch On Voltage (IO = 50 µA, VDD = 2.4V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ DO Pch On Voltage (IO = –50 µA, VDD = 3.9V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ TOTAL DEVICE
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Operating Input Voltage
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply Current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Operating (VDD = 3.9 V, VP– = 0V)
t(DET3)
9.0
13
17
ms
D
t(SHORT)
–
5.0
50
µs
D
RSHORT
50
100
150
kW
D
Vol1
–
0.2
0.5
V
E
Voh1
3.4
3.8
–
V
F
Vol2
–
0.2
0.5
V
G
Voh2
3.4
3.7
–
V
H
VDD
1.5
–
10
V
A
Icell
–
3.0
6.0
µA
I
Standby (VDD = 2.0 V)
–
Minimum Operating Cell Voltage for Zero Volt Charging (Pin 5 to VST
–
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Pin 2)
0.3
0.6
µA
I
–
1.2
V
A
1. Indicates test circuits shown on next page.
http://onsemi.com
2
Share Link: 