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B125C5000-3000A Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
B125C5000-3000A
Diotec
Diotec Semiconductor Germany  Diotec
B125C5000-3000A Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
B40...500C5000-3000A, B40...500C5000-3300A
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time – Sperrverzug
Tj = 25°C IF = 5 A
VF
< 1.0 V 1)
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA 1)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
VR = 4 V
Cj
40 pF 1)
RthA
< 20 K/W 2)
R 3)
t
~
_
+
~
Type
Typ
B40C5000-3300/3000A
Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at Rt
Empf. Schutzwiderstand Zul. Ladekondensator mit Rt
Rt [Ω] 3)
CL [µF] 4)
0.5
10000
B80C5000-3300/3000A
1.0
5000
C 4)
L
B125C5000-3300/3000A
B250C5000-3300/3000A
2.0
4.0
2500
1500
B380C5000-3300/3000A
5.0
1000
B500C5000-3300/3000A
6.5
800
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
10 2
[A]
10
Tj = 125°C
1
Tj = 25°C
10-1
IF
10-2
150a-(5a-1.2v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
3 Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
4 CL = 5 ms / Rt
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged mostly in a
single mains period. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL nahezu in einer einzigen
Netzperiode geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2
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© Diotec Semiconductor AG

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