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Número de pieza
componentes Descripción
P137S Ver la hoja de datos (PDF) - Unspecified
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
P137S
Resistor built-in transistor Silicon PNP Epitaxial Type Switching
Unspecified
P137S Datasheet PDF : 3 Pages
1
2
3
概 要
RT1P137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れて
ワンチップ化した複合トランジスタです。このトラ
ンジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数
の大幅な削減が可能となります。
RT1P137S
抵抗内蔵トランジスタ
スイッチング用
シリコンPNPエピタキシャル形
外 形 図
4.0
単位:mm
特 長
・バイアス用抵抗を内蔵 (R
1
=1kΩ,R
2
=22kΩ).
・コレクタ電流が大きい I
C
=-1A
・V
CE(sat)
が低い VCE(sat)=-0.3V
(@I
C
=-300mA/I
B
=-3mA)
用 途
インバ-タ回路、スイッチング回路、インタ-フェ-
ス回路、ドライバ回路
最大定格 (Ta=25℃)
記 号
V
CBO
V
EBO
V
CEO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
stg
項 目
コレクタ・ベ-ス間電圧
エミッタ・ベ-ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ電流
せん頭コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
電気的特性 (Ta=25℃)
記 号
V
(BR)CEO
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
V
I(ON)
V
I(OFF)
R
1
R
2/
R
1
f
T
項 目
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
入力抵抗
抵抗比率
利得帯域幅積
定格値
-40
-6
-40
-1
-2
600
+150
-55~+150
単位
V
V
V
A
A
mW
℃
℃
測 定 条 件
I
C
=-1mA, R
BE
=∞
V
CB
=-40V, I
E
=0
V
CE
=-5V, I
C
=-100mA
I
C
=-300mA, I
B
=-3mA
V
CE
=-0.2V, I
C
=-300mA
V
CE
=-5V, I
C
=-100μA
V
CE
=-6V, I
E
=10mA
0.1
0.45
1.27 1.27
1
2
3
電極接続
1
: エミッタ
2
: コレクタ
3
: ベ-ス
EIAJ :
JEDEC :
等価回路
B
( IN)
R1
R2
C
(O UT)
E
( GND)
マ-ク図
P13
7
最小
-40
100
0.4
0.7
20
特性値
標準
最大
-0.1
-0.1
-0.3
-2.4
-4.0
0.53
1.0
1.3
22
24
130
単位
V
μA
V
V
V
kΩ
MHz
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