BAS35(2011) Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
BAS35 Datasheet PDF : 2 Pages
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Characteristics (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
BAS31, BAS35
Kennwerte (Tj = 25°C)
CT
35 pF
trr
< 50 ns
RthA
< 400 K/W 1)
Outline – Gehäuse
3
1
2
3
1
2
Pinning – Anschlussbelegung
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = K2 3 = K1/A2
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = K1 2 = K2 3 = A1/A2
Marking – Stempelung
BAS31 = L21
BAS35 = L22
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA 50
100
150 [°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1)
10
[A]
1
10-1
Tj = 125°C
10-2
Tj = 25°C
IF
10-3
0
VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
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