VDD18SCTA Ver la hoja de datos (PDF) - AnaSem Semiconductors

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

VDD18SCTA

Low voltage, low power consumption, ± 1% high precision voltage detection Built-in delay circuit CMOS voltage detector

AnaSem Semiconductors 

Rev. C09-09

低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器

VDD 系列

电子规格

项目

工作电压范围

检测电压

滯後现象范围

输出电流

电流功耗

流失电流

电压检测温度特征

延迟时间

VDR→VOUT inversion

符号

条件

最低

VIN

VDET

VHYS

VDET = 1.8V ~ 6.0V

VDET = 1.8V ~ 6.0V

Ta = –40°C ~ +85°C

VIN=0.7V

VIN=1.0V

IOUT

N-ch

VDS=0.5V

VIN=2.0V

VIN=3.0V

VIN=4.0V

CMOS P-ch

VDS=2.1V

CMOS N-ch

VDS=2.1V

VIN=5.0V

VIN=6.0V

VIN=6.0V

VIN=1.5V

VIN=2.0V

ISS

VIN=3.0V

VIN=4.0V

VIN=5.0V

ILEAK VIN=6.0V VOUT=6.0V

∆VDET / VDET = 1.8V ~ 6.0V

∆Ta•VDET Ta = –40°C ~ +85°C

TDLY VIN = 0.7V ~ 6.0V

0.7

VDET

×0.99

VDET

×0.02

0.1

1.0

3.0

5.0

6.0

7.0

-

1.5

-

-

-

-

-

-

-

10

50

80

一般

(Ta=25°C 除非另有注明)

最高

单位

测试

电路

-

6.0

V

1

VDET

VDET

×1.01

V

1

VDET

×0.05

VDET

×0.08

V

1

0.35

-

mA

2.3

-

mA

8.2

-

mA

3

11.1

-

mA

12.8

-

mA

13.8

-

mA

-9.5

-1.5

mA 4

9.5

-

mA 3

0.6

2.1

μA

0.7

2.5

μA

0.8

2.8

μA

2

0.9

3.0

μA

1.0

3.4

μA

10

100

nA

3

±20

- ppm/°C 1

-

50

ms

-

200

ms

5

-

400

ms

AnaSem Inc.

5

.......... Future of the analog world

Share Link: