Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Número de pieza
componentes Descripción
TPC8119 Ver la hoja de datos (PDF) - Toshiba
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
TPC8119
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSV)
Toshiba
TPC8119 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
I
D
– V
DS
−
10
−
6
−
5
−
3.3
−
3
−
8
−
8
−
10
−
3.5
−
3.7
−
4
−
6
−
2.7
−
4
VGS
= −
2.5V
−
2
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
0
0
−
0.1
−
0.2
−
0.3
−
0.4
−
0.5
Drain
−
source voltage V
DS
(V)
TPC8119
−
40
−
6
−
8
−
30
−
10
−
20
I
D
– V
DS
−
5
−
4
−
3.7
−
3.5
−
3.3
−
3
−
10
VGS
= −
2.7V
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
0
0
−
0.5
−
1
−
1.5
−
2
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
40
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
−
32
I
D
– V
GS
−
24
−
16
Ta
=
100°C
−
8
25°C
−
55°C
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Gate
−
source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
−
0.5
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
0.4
−
0.3
−
0.2
−
0.1
0
0
ID
= −
10A
−
5
−
2.5
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate
−
source voltage V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
Ta
= −
55°C
100
10
25
1
0.1
−
0.1
Common source
V
DS
= −
10 V
Pulse test
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
100
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
VGS
= −
4V
10
−
10
1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
4
2009-09-29
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]