TIM1011-10L Ver la hoja de datos (PDF) - Toshiba

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

TIM1011-10L

MICROWAVE POWER GaAs FET

Toshiba 

TIM1011-10L

Power Dissipation(PT) vs. Case Temperature(Tc)

60

30

0

0

40

80

120

160

200

Tc( °C )

IM3 vs. Output Power Characteristics

-10

VDS=9V

freq.=11.7GHz

-20

Δf=5MHz

-30

-40

-50

-60

24

26

28

30

32

34

Pout(dBm) @Single carrier level

4

Share Link: