NTE2651 Ver la hoja de datos (PDF) - NTE Electronics
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
NTE2651
NTE Electronics
NTE2651 Datasheet PDF : 2 Pages
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NTE2651
Silicon NPN Transistor
Horizontal Deflection Output for
Ultrahigh−Definition CRT Display
Features:
D High Speed
D High Breakdown Voltage
D High Reliability
Absolute Maximum Ratings: (TA + 25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Collector Dissipation, PC
TA + 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
TC + 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA + 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Storage Time
Fall Time
ICBO
ICES
IEBO
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(sat)
hFE
tstg
tf
VCB = 800V, IE = 0
VCE = 1500V, RBE = 0
VEB = 4V, IC = 0
IC = 100mA, IB = 0
IC = 8A, IB = 2A
IC = 8A, IB = 2A
VCE = 5V, IC = 1A
VCE = 5V, IC = 8A
IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = 2.4A
IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = 2.4A
Min Typ Max Unit
−
− 10 µA
−
− 1.0 mA
−
− 1.0 mA
800 −
−
V
−
− 5.0 V
−
− 1.5 V
20 − 30
4
−
7
−
− 3.0 µs
− 1.0 0.2 µs
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