MBR1060ZR Ver la hoja de datos (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
MBR1060ZR Datasheet PDF : 6 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
Symbol
VRRM
VDC
正向平均整流电流
Average forward
current
TC=125℃
(TO-220)
TC=100℃
(TO-220HF)
整个器件
per device
单侧
IF(AV)
正向峰值浪涌电流
per diode
Surge non repetitive forward current
（额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法）
IFSM
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
Tj
TSTG
MBR1060
数值
Value
60
单位
Unit
V
60
V
10
A
5
80
A
150
℃
-40~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
测试条件
最小值 典型值
最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
Tj =25℃
50
IR
Tj =125℃
VR=VRRM
50
Tj =25℃
VF
Tj =125℃
IF=5A
0.60
0.7
0.53
0.6
单位
Unit
μA
mA
V
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项目
符号
Parameter
结到管壳的热阻
Symbol
Thermal resistance from
junction to case
TO-220
TO-220HF
Rth(j-c)
最小值
最大值 单 位
Value(min) Value(max) Unit
1.9
2.5
℃ /W
版本(Rev.):201003E
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