3DD4233 Ver la hoja de datos (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
3DD4233 Datasheet PDF : 6 Pages
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R
3DD4233(IUM)
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
集电极—基极
Collector- Base Voltage
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
最大集电极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Collector Current（pulse）
Total Dissipation (TO-251/252)
Total Dissipation (TO-126)
Junction Temperature
Storage Temperature
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
PC
Tj
Tstg
数值
Value
700
400
9
1.2
2.4
10
20
150
-55~+150
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
W
℃
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
tf
ts
fT
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=700V, IE=0
VCE=400V,IB=0
VEB=7V, IC=0
VCE=10V, IC=100mA
VCE=5V, IC=1.2A
IC=0.5A, IB=0.1A
IC=0.5A, IB=0.1A
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
VCE=10V, IC=0.1A
400
450
-
700
800
-
9
14
-
-
-
5
-
-
10
-
--
5
10
22
40
3.0
4.0
-
-
0.3
0.8
-
0.9
1.2
-
-
0.7
-
-
5
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
-
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到环境的热阻 TO-251/252
Thermal Resistance Junction Case TO-251/252
结到管壳的热阻 TO-126
Thermal Resistance Junction Case TO-126
符号
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-c)
最小值 最大值
Value(min) Value(max)
-
12.5
-
6.25
单位
Unit
℃ /W
℃ /W
版本：200910D
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