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Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
2SC5625 Datasheet PDF : 4 Pages
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2SC5625
低周波電力増幅用
シリコンNPNエピタキシァル形
概 要
2SC5625超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシァル
形トランジスタで、高耐圧に設計、製造されております。
セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いただけま
す。
特 長
・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
・コレクタ飽和電圧が低い
VCE(sat)=0.5V 最大
用 途
ハイブリッドＩＣ，DC-DCコンバータ用
外 形 図
2.5
0.5 1.5 0.5
単位 :mm
1
3
2
電極接続
1 : ベ−ス
2 : エミッタ
3 : コレクタ
EIAJ : SC-59
JEDEC : TO-236 類似
最大定格 (Ta=25 ℃)
記 号
項 目
定格値
単位
VCBO コレクタ・ベ−ス間電圧
300
V
VEBO エミッタ・ベ−ス間電圧
7
V
VCEO コレクタ・エミッタ間電圧
300
V
IC
コレクタ電流
100
mA
PC
コレクタ損失
150
mW
Tj
接合部温度
+125
℃
Tstg 保存温度
-55~+125
℃
電気的特性 (Ta=25℃)
記 号
V(BR)CBO
V(BR)EBO
V(BR)CEO
I CBO
I EBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
項 目
コレクタ・ベース降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
測 定 条 件
I C=50μA, I E=0
I E=50μA, I C=0
I C=1mA, RBE =∞
VCB= 300V, I E=0
VEB=5V, I C=0
VCE=10V, I C=10mA
I C=100mA, I B=10mA
VCE=6V, I E=-10mA
VCB=6V, I E =0, f=1MHz
マ−キング図
UW
形名略称
hFE アイテム
特性値
単位
最小
標準
最大
300
V
7
V
300
V
0.5
μA
0.5
μA
60
305
0.5
V
40
MHz
3.0
pF
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