2N3347 Ver la hoja de datos (PDF) - New Jersey Semiconductor
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
2N3347 Datasheet PDF : 3 Pages
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* 2IM 3347
* 2N3348
* 2N 3349
Caracteristiques generates a tamb = 25°C
General characteristics
Caractaristiques statiques pour chaque transistor elementaire
Static clnrictirittin tot itth ilimutiry trimittor
Tension de claquage 6metteur-base
Emitter-bate breakdown voltage
IlliS^
ic = o
IE • -10MA
Mu.
- Me. •'* Mtl
VIBRIEBO -6
V
Valeur statique du rapport du transfer!
direct du courant
Static forward current transfer ratio
Tension base-emetteur
Bale-emitter voltage
lc = -lOfjA
VCE - -5 v
lc - -1 mA
VCE = -sv
lc = -10mA
40
h21E
60
VBE
300
-0.9
V
Tension de saturation collecteur-emetteur lc - -10mA
Collector-emitter saturation voltage
IB = -0,5 mA
VcEsat
-0,B
V
Caracteristiques dynamiques pour chaque transistor elementaire (pour petit*
Dynamic characteristics for aactl tltmtnttry transistor (for small sioiul*/
Rapport de transfert direct du courant
Forward current transfer ratio
Impedance d'entree
Input impedance
Admittance de sortie
Output admittance
Frequence de transition
Trantitlon frequency
Capacity de sortie
Output capacitance
Capacite d'entree
Input capacitance
Facteur de bruit
Nolta flgurt
f
=
IQ =
VCE •
f
=
IQ =
VCE =
f=
lc =
vce =
1 kHz
—1 mA
-5 v
1 kHz
-1 mA
-sv
1 kHz
_i rnA
~B v
IG = -1 mA
VCE = -sv
f
= 30 MHz
VCB = -« v
'E = °
f
=
1 MHz
VEB =
'c =
f
=
-0,5V
°
1 MHz
lc = -10 ^A
VCE = -5V
RQ = 10k£2
B
= 15,7 kHz
h21e
60
h11e
1,5
h22e
fT
60
C22b
C11b
F
600
20 kn
100 MS
MHz
6 PF
S pF
4 dB
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