CR522X 应用指导书
图 1.4 FB 端电压对应系统工作状态
1.3V~1.4V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的 FB 端电压;1.4V~1.8V 为系统在中等或轻载负
载时频率调制模式下的 FB 端电压;1.8V~3.7V 为系统在重载下的 FB 端电压;3.7V~4.8V 为系统开环,过
功率保护,短路保护时 FB 端电压;FB 端的短路电流典型值为 0.9mA。
当 VFB 大于 3.7V 并持续 50ms 的时间,关闭开关管,状态被保持。此时芯片 VDD 电压必须降低到 VDD_OFF
后,再启动才能恢复正常。当 VFB 小于 1.3V 时,仅关闭开关管以保护系统。
6.CS 输入端
CR522X 采用电流模式 PWM 控制技术,初级峰值电流通过电流检测电阻 Rsense 转化为电压反馈到
Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流,如果此时采样电流值,容易导致错误的控制。内置
的前沿消隐(LEB)电路,就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后,经过一段前沿消隐时间(典
型 250ns)才去采样原边峰值电流。由于变压器工艺及外围器件品质等因素,不排除有超过 LEB 屏蔽时间
的巨大 Spike,此时应在 Rsense 电阻上并联一个 Csense 电容予以滤除。该电容取值范围应不超过 100nF,
保证滤除 Spike 并尽可能的小。
正常工作时,PWM 占空比由 Sense 端电压和 FB 端电压共同调整。
7.内置斜波补偿
内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率,这可以改善系统闭环的稳定性,防止次谐波振荡,减小
输出纹波电压。
8.驱动
CR522X 内置的功率 MOSFET 通过一个专用的栅极驱动器控制。当提供给 MOSFET 驱动能力差时会
导致高的开关损耗;驱动能力强,EMI 特性会变差。这就需要一个折衷的办法来平衡开关损耗和 EMI 特性,
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