DAN401(2002) Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
DAN401 Datasheet PDF : 2 Pages
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DAN 401 / DAP 401 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Dimensions / Maße in mm
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
80 V
Periodische Spitzensperrspannung
5 Pin-Plastic case
5 Pin-Kunststoffgehäuse
13 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
0.6 g
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton s. Seite 22
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN 401
DAP 401
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
80
80
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
80
80
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
IFAV
100 mA 1)
IFAV
50 mA 1)
TU = 25/C
IFAV
100 mA 1)
IFAV
50 mA 1)
TA = 25/C
IFSM
500 mA
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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28.02.2002
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