RJK005N03FRA Ver la hoja de datos (PDF) - ROHM Semiconductor

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

RJK005N03FRA

Nch 30V 500mA Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor 

RJK005N03FRA

　 　 　 　　 　

lThermal resistance

Parameter

Thermal resistance, junction - ambient

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　

Symbol

RthJA*2

Values

Unit

Min. Typ. Max.

-

- 625 ℃/W

lElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Drain - Source breakdown

voltage

V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA

Breakdown voltage

temperature coefficient

　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA

　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃

Zero gate voltage

drain current

IDSS VDS = 30V, VGS = 0V

Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±12V, VDS = 0V

Gate threshold voltage

VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA

Gate threshold voltage

temperature coefficient

　ΔVGS(th) 　 ID = 1mA

　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃

Static drain - source

on - state resistance

RDS(on)*3

VGS = 4.5V, ID = 500mA

VGS = 4.0V, ID = 500mA

VGS = 2.5V, ID = 500mA

Forward Transfer

Admittance

|Yfs|*3 VDS = 10V, ID = 500mA

Values

Unit

Min. Typ. Max.

30 -

-

V

- 35.0 - mV/℃

-

-

1 μA

-

- ±10 μA

0.8 - 1.5 V

- -2.04 - mV/℃

- 400 580

- 420 600 mΩ

- 650 940

500 -

- mS

*1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1%

*2 Each terminal mounted on a reference land.

*3 Pulsed

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　

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20160920 - Rev.001

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