S1WB(A)(V2) Ver la hoja de datos (PDF) - Shindengen
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
S1WB(A) Datasheet PDF : 4 Pages
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SMD/DIP
S1WB(A)□/60B
800V 1A
特長
• 小型 SMDパッケージ
または
• 小型 DIP パッケージ
• 高 IFSM
• 耐湿性に優れ高信頼性
Feature
• Small-SMD
or
• Small-DIP
• Large IFSM
• High-Reliability
Bridge Diode
■外観図 OUTLINE
Package：1W（SMD）
10.2
④
①
品名略号
Type No.
S1WB
2076
③
級表示（例）
Class
②
ロット記号（例）
Date code
④−
③〜
Unit : mm
①＋
②〜
Package：1W（DIP）
Unit : mm
10.2
④
①
④−
品名略号
Type No.
S1WB
6043
③
級表示（例）
Class
②
ロット記号（例）
Date code
③〜
①＋
②〜
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Terminal Connection.”
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
S1WB（A）□
60
80
S1WB（A）60B
60
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
Tstg
−40〜150
Tj
VRM
IO
IFSM
I2t
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta =25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta= 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj=25℃，
１素子当たりの規格値
per diode
600
（VRSM＝700V）
30
4.5
150
800
1
600
50
16
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
VF
IF = 0.5A,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IR
VR =VRM,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX 1.0
MAX 10
熱抵抗
Thermal Resistance
θjl
θja
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
MAX 10
MAX 65
V
μA
℃/W
（J534-p〈2014.03〉）
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