KSH13005-H2 Ver la hoja de datos (PDF) - Shantou Huashan Electronic Devices
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
KSH13005-H2 Datasheet PDF : 1 Pages
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN SILICON TRANSISTOR
KSH13005
█ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮ
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Montor Control
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… －55~150℃
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 75W
VCBO——Collector-Base Voltage…………………………… 700V
VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V
VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V
IC——Collector Curren（t DC）………………………………… 4A
IC——Collector Curren（t Pulse）……………………………… 8A
IB——Base Current……………………………………………2A
█ 电参数（Ta=25℃）
TO-220
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter, E
Symbol
BVCEO
IEBO
Characteristics
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Emitter-Base Cut-off Current
Min Typ Max
400
1
Unit
Test Conditions
V IC=10mA, IB=0
mA VEB=9V, IC=0
HFE DC Current Gain
10
40
VCE=5V, IC=1A
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) Base- Emitter Saturation Voltage
Cob Output Capacitance
fT Current Gain-Bandwidth Product
tON Turn On Time
8
65
4
40
VCE=5V, IC=2A
0.5
V IC=1A, IB=0.2A
0.6
V IC=2A, IB=0.5A
1
V IC=4A, IB=1A
1.2
V IC=1A, IB=0.2A
1.6
V IC=2A, IB=0.5A
pF VCB=10V, f=0.1MHz
MHz VCE=10V, IC=0.5A
0.8 μs
VCC=125V,
tS Storage Time
4
μs
IC=2A,
tF Fall Time
0.9 μs
IB1=-IB2=0.4A
hFE Classification： H1（10--16） H2（14--21） H3（19--26） H4（24--31） H5（29--40）
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