D13005ED Ver la hoja de datos (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
D13005ED Datasheet PDF : 13 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD13005ED
项目
符号
数值 单位
Parameter
Symbol
Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
VCES
700
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
400
V
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
4
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
8
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
IB
2
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
IBP
4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-251/126/126S/220HF)
PC
40
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-252)
PC
50
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220C/262/263)
PC
75
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
Unit
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
Hfe(1)
Hfe(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
tf
ts
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=700V, IE=0
VCE=400V,IB=0
VEB=9V, IC=0
VCE =10V, IC=500mA
VCE =5V, IC=2A
IC=2A, IB=0.4A
IC=2A, IB=0.5A
VCC=24V IC=2A,IB1=-IB2=0.4A
400
-
-
V
700
-
-
V
9
-
-
V
-
-
100
μA
-
-
50
μA
-
-
10
μA
8
-
50
5
-
-
-
-
1.0
V
-
-
1.8
V
-
-
0.7
μS
-
-
5
μS
fT
VCE=10V, IC=0.5A
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
4
-
-
MHz
符号
最小值
最大值
单位
Parameter
结到管壳的热阻 TO-251/126/126S/220HF
Thermal Resistance Junction Case TO-251/126/126S
Symbol Value(min) Value(max) Unit
Rth(j-c)
-
3.125
℃ /W
结到管壳的热阻 TO-252
Thermal Resistance Junction Case TO-252
结到管壳的热阻 TO-220C/262/263
Thermal Resistance Junction Case TO-220C/262/263
Rth(j-c)
-
Rth(j-c)
-
2.50
℃ /W
1.67
℃ /W
版本：201103E
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