P/N + Descripción + Búsqueda de contenido
Número de pieza(s) : 80N02 80N02-TO251
VBsemi Electronics Co.,Ltd
componentes Descripción : N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Número de pieza(s) : ZAPD-2-252+ ZAPD-2-252-N+ ZAPD-2-252-S+ ZAPD-2-252 ZAPD-2-252-N ZAPD-2-252-S
Minicircuits
componentes Descripción : Power Splitter/Combiner
Número de pieza(s) : ZAPD-2-252-75 ZAPD-2-252-75+
Minicircuits
componentes Descripción : Power Splitter/Combiner
Número de pieza(s) : GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2014)
Número de pieza(s) : GB10SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2018)
Número de pieza(s) : GC05MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode (Rev - 2019)
Número de pieza(s) : GC08MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2018)
Número de pieza(s) : TO-252
AME, Inc
componentes Descripción : Carrier Tape, Number of Components Per Reel and Reel Size
Número de pieza(s) : GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2013)
Número de pieza(s) : GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
Número de pieza(s) : GB05SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2012)
Número de pieza(s) : GB10SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
Número de pieza(s) : GC08MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
Número de pieza(s) : GC10MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
Número de pieza(s) : 12N03LB IPD12N03LBG IPF12N03LBG IPS12N03LBG IPU12N03LBG PG-TO252-3-11 PG-TO251-3-11 PG-TO252-3-23 PG-TO251-3-1
Infineon Technologies
componentes Descripción : OptiMOS®2 Power-Transistor
Número de pieza(s) : TIM1414-10LA-252
Toshiba
componentes Descripción : MICROWAVE POWER GaAs FET
Número de pieza(s) : TIM1414-18L-252
Toshiba
componentes Descripción : MICROWAVE POWER GaAs FET
Número de pieza(s) : RPI-252
ROHM Semiconductor
componentes Descripción : Photointerrupter, double-layer mold type
Número de pieza(s) : 4N60-252
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode (Rev - 2019)
| 12345678910 Next |