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Número de pieza(s) : 18N20A
KIA Semiconductor Technology
componentes Descripción : 18A，200V N-CHANNEL MOSFET
Número de pieza(s) : KIA6720N
KIA Semiconductor Technology
componentes Descripción : 18A，200V N-CHANNEL MOSFET
Número de pieza(s) : IRF640
First Components International
componentes Descripción : 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : FDP18N20F FDPF18N20FT
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14Ω
Número de pieza(s) : IRF640FP
First Components International
componentes Descripción : 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF8G20LS-200V
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF8G20LS-200V
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
Número de pieza(s) : IRF640N IRF640NS IRF640NL
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15Ω
Número de pieza(s) : GS88237BB-250V GS88237BB-200V GS88237BB-250IV GS88237BB-200IV GS88237BD-250V GS88237BD-200V GS88237BD-250IV GS88237BD-200IV GS88237BGB-250V GS88237BGB-200V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
Número de pieza(s) : IRF240 IRF240-243 IRF241 IRF242 IRF243 IRF640 IRF641 IRF642 IRF643 IRF640-643
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V
Número de pieza(s) : GS88118B-XXXV GS88118BD-150IV GS88118BD-150V GS88118BD-200IV GS88118BD-200V GS88118BD-250IV GS88118BD-250V GS88118BD-XXXV GS88118BGD-150IV GS88118BGD-150V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
Número de pieza(s) : IRF640N IRF640NL IRF640NS IRF640NSTR
International Rectifier
componentes Descripción : N-channel power MOSFET for fast switching applications, 200V, 18A
Número de pieza(s) : IRL640A
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : Power MOSFET - BVdss=200V Rds(on)=0.18 ohn Id = 18A
Número de pieza(s) : RF1S640SM RF1S640 IRF640 RF1S640SM9A
ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.
componentes Descripción : 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Número de pieza(s) : GS881E18BD-150IV GS881E18BD-150V GS881E18BD-200IV GS881E18BD-200V GS881E18BD-250IV GS881E18BD-250V GS881E18BGD-150IV GS881E18BGD-150V GS881E18BGD-200IV GS881E18BGD-200V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
Número de pieza(s) : IRF640 RF1S640 RF1S640SM RF1S640SM9A
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Número de pieza(s) : GS880Z18BGT-150V GS880Z18BGT-200V GS880Z18BGT-250V GS880Z18BT-150IV GS880Z18BT-150V GS880Z18BT-200IV GS880Z18BT-200V GS880Z18BT-250IV GS880Z18BT-250V GS880Z32BGT-150V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
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