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Número de pieza(s) : BFG425W
SHIKE Electronics
componentes Descripción : Microwave, low noise, SiGe NPN HBT
Número de pieza(s) : SGA-8343
Unspecified
componentes Descripción : low noise, High Gain SiGe HBT
Número de pieza(s) : SGA8343Z SGA8343ZSQ SGA8343ZSR SGA8343ZPCK1 SGA8343ZPCK2 SGA8343ZPCK3 SGA8343ZPCK4
RF Micro Devices
componentes Descripción : low noise, HIGH GAIN SiGe HBT
Número de pieza(s) : SGA-8343 SGA-8343Z
Sirenza Microdevices => RFMD
componentes Descripción : low noise, High Gain SiGe HBT
Número de pieza(s) : SGA-8343
Stanford Microdevices
componentes Descripción : low noise, High Gain SiGe HBT
Número de pieza(s) : MSG43001
Panasonic Corporation
componentes Descripción : SiGe HBT type For low-noise RF amplifier
Número de pieza(s) : MSG43004
Panasonic Corporation
componentes Descripción : SiGe HBT type For low-noise RF amplifier
Número de pieza(s) : MSG36E41
Panasonic Corporation
componentes Descripción : SiGe HBT type For low-noise RF amplifier
Número de pieza(s) : MSG33002
Panasonic Corporation
componentes Descripción : SiGe HBT type For low-noise RF amplifier
Número de pieza(s) : MSG33001
Panasonic Corporation
componentes Descripción : SiGe HBT type Transistors
Número de pieza(s) : MPSIG001 MPSIG001-535
M-pulse Microwave Inc.
componentes Descripción : low OperatingVoltage, High fT SiGe Microwave Transistors
Número de pieza(s) : AS1700-NPN AS1700-PNP AS1700-PWR
Astec Semiconductor => Silicon Link
componentes Descripción : Semicustom Bipolar Array
Número de pieza(s) : 2SC5194-T2 2SC5194-T1 2SC5194 C5194
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC5195 2SC5195-T1
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B C3356 2SC3356 2SC3356-A
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3583-L 2SC3583-T1B 2SC3583-T2B 2SC3583Q 2SC3583R 2SC3583S C3583 C3583-L C3583-T1B C3583-T2B
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3585 2SC3585-T1B 2SC3585-T1B-A NE68033 NE68033-T1B NE68033-T1B-A
California Eastern Laboratories.
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
Número de pieza(s) : C4536 2SC4536QS 2SC4536QR 2SC4536QQ 2SC4536
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3583 C3583
Renesas Electronics
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : C2149 C2148 2SC2149 2SC2148
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : Microwave low noise AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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