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Número de pieza(s) : NVTFS5811NL NVTFS5811NLTAG NVTFS5811NLTWG
ON Semiconductor
ON Semiconductor
componentes Descripción : Power MOSFET 40 V, 6.7 m, 40 A, Single N−Channel (Rev - 2011)
vista
Número de pieza(s) : NVTFS5811NL NVTFS5811NLTAG NVTFS5811NLWFTAG NVTFS5811NLTWG NVTFS5811NLWFTWG
ON Semiconductor
ON Semiconductor
componentes Descripción : Power MOSFET 40 V, 6.7 m, 40 A, Single N−Channel (Rev - 2013)
vista
Número de pieza(s) : NVTFS5811NL NVTFS5811NLTAG NVTFS5811NLWFTAG NVTFS5811NLTWG NVTFS5811NLWFTWG
ON Semiconductor
ON Semiconductor
componentes Descripción : MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 6.7 m, 40 A
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Número de pieza(s) : KAI-0340-FBA-CB-AA-SINGLE KAI-0340-AAA-CP-AE-DUAL KAI-0340-AAA-CP-AA-SINGLE KAI-0340-AAA-CP-AA-DUAL KAI-0340-AAA-CF-AE-SINGLE KAI-0340 KAI-0340-AAA-CF-AA-DUAL KAI-0340-AAA-CF-AA-SINGLE KAI-0340-AAA-CF-AE-DUAL KAI-0340-FBA-CB-AA-DUAL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
componentes Descripción : 640 (H) x 480 (V) Interline CCD Image Sensor (Rev - 2015)
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Número de pieza(s) : KAI-0340-CBA-CB-AE-DUAL KAI-0340-AAA-CP-AE-DUAL KAI-0340-AAA-CP-AA-SINGLE KAI-0340-AAA-CP-AA-DUAL KAI-0340-AAA-CF-AE-SINGLE KAI-0340-AAA-CF-AE-DUAL KAI-0340 KAI-0340-AAA-CF-AA-DUAL KAI-0340-AAA-CF-AA-SINGLE KAI-0340-CBA-CB-AA-SINGLE
ON Semiconductor
ON Semiconductor
componentes Descripción : 640 (H) x 480 (V) Interline CCD Image Sensor
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Número de pieza(s) : ZAPD-2-252+ ZAPD-2-252-N+ ZAPD-2-252-S+ ZAPD-2-252 ZAPD-2-252-N ZAPD-2-252-S
Minicircuits
Minicircuits
componentes Descripción : Power Splitter/Combiner
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Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
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Número de pieza(s) : ZAPD-2-252-75 ZAPD-2-252-75+
Minicircuits
Minicircuits
componentes Descripción : Power Splitter/Combiner
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Número de pieza(s) : GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2014)
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Número de pieza(s) : GB10SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2018)
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Número de pieza(s) : GC05MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode (Rev - 2019)
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Número de pieza(s) : GC08MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2018)
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Número de pieza(s) : TO-252
AME, Inc
AME, Inc
componentes Descripción : Carrier Tape, Number of Components Per Reel and Reel Size
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Número de pieza(s) : GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2013)
vista
Número de pieza(s) : GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
vista
Número de pieza(s) : GB05SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Power Schottky Diode (Rev - 2012)
vista
Número de pieza(s) : GB10SLT12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
vista
Número de pieza(s) : GC08MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
vista
Número de pieza(s) : GC10MPS12-252
GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Inc.
componentes Descripción : Silicon Carbide Schottky Diode
vista
Número de pieza(s) : TIM1414-10LA-252
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : MICROWAVE Power GaAs FET
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