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JDS Uniphase Corporation
JDS Uniphase Corporation
componentes Descripción : High-Power 2 W 830 nm Fiber-Coupled Diode Laser
componentes Descripción : PCS and WLAN Omni Antennas
Número de pieza(s) : MCE-3E5B-001
Unity Opto Technology
Unity Opto Technology
componentes Descripción : 1310 nm Laser Diode
Número de pieza(s) : MCE-3E5B-012
Unity Opto Technology
Unity Opto Technology
componentes Descripción : 1310 nm Laser Diode
Número de pieza(s) : MCE-6E8F-Z01
Unity Opto Technology
Unity Opto Technology
componentes Descripción : 650 nm Laser Diode
Número de pieza(s) : DL-LS6002
SANYO -> Panasonic
SANYO -> Panasonic
componentes Descripción : 980 nm Laser Diode
Número de pieza(s) : MCE-6E8F-Z02
Unity Opto Technology
Unity Opto Technology
componentes Descripción : 650 nm Laser Diode
Número de pieza(s) : NM-SM50 NF-SM50 NF-SF50 NM-SF50
Minicircuits
Minicircuits
componentes Descripción : Adapters,Type-N/SMA 50Ω, DC to 18 GHz
Número de pieza(s) : MCE-3E5B-002
Unity Opto Technology
Unity Opto Technology
componentes Descripción : 1310 nm Laser Diode
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero (Rev - 2009)
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero (Rev - 2013)
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero
Número de pieza(s) : TSHG5510
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero (Rev - 2009)
Número de pieza(s) : RLCO-830-1000G
Roithner LaserTechnik GmbH
Roithner LaserTechnik GmbH
componentes Descripción : High Power Infrared Laser Diode
Número de pieza(s) : TSHG8400
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero (Rev - 2009)
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero
Número de pieza(s) : ELJ-830-629
EPIGAP optoelectronic GmbH
EPIGAP optoelectronic GmbH
componentes Descripción : Jumbo-LED
Número de pieza(s) : TSHG8200
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero (Rev - 2009)
Número de pieza(s) : TSHG8200
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero
Número de pieza(s) : TSHG8400
Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors
componentes Descripción : High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero
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