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Número de pieza(s) : PTFB201402FC-V1-R250 PTFB201402FC-V1-R0 PTFB201402FC PTFB201402FCV1R0 PTFB201402FCV1R250
Cree, Inc
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 – 2025 MHz
Número de pieza(s) : PTFB201402FCV1R250XTMA1 PTFB201402FCV1R0XTMA1 PTFB201402FC PTFB201402FCV1R0 PTFB201402FCV1R250
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 – 2025 MHz
Número de pieza(s) : PTFB241402F PTFB241402FV1R0 PTFB241402FV1R250 PTFB241402FV1R0XTMA1 PTFB241402FV1R250XTMA1
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 – 2400 MHz
Número de pieza(s) : PTFB241402F
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 – 2400 MHz (Rev - 2010)
Número de pieza(s) : PTF180101S
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor (Rev - 2007)
Número de pieza(s) : PTF180101S PTF180101
Infineon Technologies
componentes Descripción : LDMOS RF Power Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : PTF210451E PTF210451F
Infineon Technologies
componentes Descripción : Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
Número de pieza(s) : PTFA220121MV4R1KV4XUMA1 PTFA220121M PTFA220121MV4R1K
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 – 2200 MHz
Número de pieza(s) : PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
Número de pieza(s) : PTFC270101M-V1-R1K PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Cree, Inc
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
Número de pieza(s) : PTFC270051MV2R1KXUMA1 PTFC270051M PTFC270051MV2R1K
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
Número de pieza(s) : PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz (Rev - 2015)
Número de pieza(s) : PXAC243502FVV1R250XTMA1 PXAC243502FVV1R0XTMA1 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R0 PXAC243502FVV1R250
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz
Número de pieza(s) : PTFA220121M-V4-R1K PTFA220121M PTFA220121MV4R1K
Cree, Inc
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 – 2200 MHz
Número de pieza(s) : PXAC243502FV-V1-R250 PXAC243502FV-V1-R0 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R0 PXAC243502FVV1R250
Cree, Inc
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz
Número de pieza(s) : PTFC270051M-V2-R1K PTFC270051M PTFC270051MV2R1K
Cree, Inc
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
Número de pieza(s) : RF-0505D RF-0505DH RF-0505S RF-0505SH RF-0509D RF-0509DH RF-0509S RF-0509SH RF-0512D RF-0512DH
RECOM Electronic GmbH
componentes Descripción : ECONOLINE - DC/DC-Converter RF Series, 1.25 Watt, DIP8 (Single & Dual Output)
Número de pieza(s) : PXAC243502FVV1R250XTMA1 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R250
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz (Rev - 2015)
Número de pieza(s) : PTFA220041MV4R1K PTFA220041M PTFA220041MV4R1KXUMA1
Infineon Technologies
componentes Descripción : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4 W, 28 V, 700 – 2200 MHz
Número de pieza(s) : 2025 2025-6001-06 2025-6002-10 2025-6003-16 2025-6004-20 2025-6005-06 2025-6006-10 2025-6007-16 2025-6008-20 2025-6009-06
Tyco Electronics
componentes Descripción : Directional Couplers, Multi-Octave
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