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Número de pieza(s) : B5817WS B5818WS B5819WS
SHIKE Electronics
SHIKE Electronics
componentes Descripción : Extremely low, low stored change, Majority carrier conduction
Número de pieza(s) : B5818W B5817W B5819W
Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.
Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.
componentes Descripción : low stored change,Majority carrier conduction
Número de pieza(s) : B5817W B5818W B5819W
Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
componentes Descripción : low stored change,Majority carrier conduction
Número de pieza(s) : RB160M-40 RB161M-20 RB160M-30
Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
componentes Descripción : low stored change,Majority carrier conduction
Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.
Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.
componentes Descripción : Metal of silicon rectifier , Majority carrier conduction (Rev - V2)
Número de pieza(s) : FESD05BLCIS
FutureWafer Tech Co.,Ltd
FutureWafer Tech Co.,Ltd
componentes Descripción : Extremely low Capacitance TVS Diode
Número de pieza(s) : FESD05LCDS
FutureWafer Tech Co.,Ltd
FutureWafer Tech Co.,Ltd
componentes Descripción : Extremely low Capacitance TVS Diode
Número de pieza(s) : MBR0530WS MBR0520WS MBR0540WS
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
componentes Descripción : Extremely low Drop Down Voltage
Número de pieza(s) : ESD3LCS
FutureWafer Tech Co.,Ltd
FutureWafer Tech Co.,Ltd
componentes Descripción : Extremely low Capacitance TVS Array
Número de pieza(s) : PMK27XP
Philips Electronics
Philips Electronics
componentes Descripción : P-channel Extremely low level FET
componentes Descripción : 5A Extremely low DROPOUT POSITIVE REGULATORS
Número de pieza(s) : PMK30EP
Nexperia B.V. All rights reserved
Nexperia B.V. All rights reserved
componentes Descripción : P-channel TrenchMOS Extremely low level FET
Número de pieza(s) : 1N3595
New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
componentes Descripción : High conductance Extremely low leakage planar diode
Número de pieza(s) : PMK30EP
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : P-channel TrenchMOS Extremely low level FET
Número de pieza(s) : MGF1902B
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : TAPE carrier low NOISE GaAs FET
Número de pieza(s) : 1903B MGF1903B
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : TAPE carrier low NOISE GaAs FET
Número de pieza(s) : MGF1907A
Mitsumi
Mitsumi
componentes Descripción : TAPE carrier low NOISE GaAs FET
Número de pieza(s) : PESD3V3Z1BSF
Nexperia B.V. All rights reserved
Nexperia B.V. All rights reserved
componentes Descripción : Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode
Número de pieza(s) : PESD5V0F1BSF
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode
componentes Descripción : HIGH SPEED, Extremely low NOISE LDO REGULATOR
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