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Número de pieza(s) : HY57V648010 HY57V648010TC HY57V648010TC-10 HY57V648010TC-12 HY57V648010TC-15 HY57V648011 HY57V648011TC HY57V648011TC-10 HY57V648011TC-7 HY57V648011TC-8
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 8M x 8 bit Synchronous DRAM Series
Número de pieza(s) : VDS8608A8A VDS8608A8A-75 VDS8608A8A-75A
A-Data Technology
componentes Descripción : Synchronous DRAM 8M x 8 bit x 4 Banks
Número de pieza(s) : ADS8608A8A ADS8608A8A-75 ADS8608A8A-75A
A-Data Technology
componentes Descripción : Synchronous DRAM 8M x 8 bit x 4 Banks
Número de pieza(s) : HYM328025GS-50 HYM328025GS-60 HYM328025S-50 HYM328025S-60 Q67100-Q2098 Q67100-Q2099 Q67100-Q2330
Infineon Technologies
componentes Descripción : 8M × 32-bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : M2V64S20BTP-6 M2V64S30BTP-6 M2V64S40BTP-6
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : S40B
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HYM368035GS-60 HYM368035S-60 HYM368035GS Q67100-Q3019 Q67100-Q3018 HYM368035S
Siemens AG
componentes Descripción : 8M × 36-bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : M2V64S20BTP M2V64S20BTP-6 M2V64S30BTP M2V64S30BTP-6 M2V64S40BTP M2V64S40BTP-6 M2V64S20TP M2V64S30TP M2V64S40TP
Mitsumi
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : M2V64S20BTP M2V64S30BTP M2V64S40BTP M2V64S20BTP-7 M2V64S20BTP-7L M2V64S20BTP-8 M2V64S20BTP-8L M2V64S20BTP-8A M2V64S20BTP-10 M2V64S20BTP-10L
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : NTE-DRAM
NTE Electronics
componentes Descripción : MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS
Número de pieza(s) : HYM328025S Q67100-Q2098 HYM328025S-60 HYM328025S-50 HYM328025GS-60 HYM328025GS-50 Q67100-Q2099 Q67100-Q2330 HYM328025GS
Siemens AG
componentes Descripción : 8M × 32-bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : HY57V121620 HY57V121620LT HY57V121620T HY57V121620T-6 HY57V121620T-K HY57V121620T-H HY57V121620T-8 HY57V121620T-P HY57V121620T-S HY57V121620LT-6
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 8M x 16bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V56820CLT HY57V56820CT HY57V56820CT-6 HY57V56820CT-K HY57V56820CT-H HY57V56820CT-8 HY57V56820CT-P HY57V56820CT-S HY57V56820CLT-6 HY57V56820CLT-K
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 8M x 8bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HYM64V8005GU-50 HYM64V8005GU-60 HYM64V8045GU-50 HYM64V8045GU-60 HYM72V8005GU-50 HYM72V8005GU-60 HYM72V8045GU-50 HYM72V8045GU-60 Q67100-Q2188 Q67100-Q2189
Infineon Technologies
componentes Descripción : 3.3V 8M × 64-bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : IS42S16800E IS42S16800E-5BL IS42S16800E-5BLI IS42S16800E-5TL IS42S16800E-5TLI IS42S16800E-6BL IS42S16800E-6BLI IS42S16800E-6TL IS42S16800E-6TLI IS42S16800E-75EBL
Integrated Silicon Solution
componentes Descripción : 16M x 8, 8M x16 128Mb Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HYM64V8005GU-50 HYM64V8005GU-60 HYM64V8045GU-50 HYM64V8045GU-60 HYM72V8005GU-50 HYM72V8005GU-60 HYM72V8045GU-50 HYM72V8045GU-60 Q67100-Q2188 Q67100-Q2189
Siemens AG
componentes Descripción : 3.3V 8M × 64-bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM368025GS-50 HYM368025GS-60 HYM368025S-50 HYM368025S-60
Infineon Technologies
componentes Descripción : 8M x 36-bit EDO - DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM368025S HYM368025S-60 HYM368025S-50 HYM368025GS-60 HYM368025GS-50 HYM368025GS
Siemens AG
componentes Descripción : 8M x 36-bit EDO - DRAM Module
Número de pieza(s) : MT48LC8M32B2 MT48LC8M32B2B5-6 MT48LC8M32B2B5-7 MT48LC8M32B2F5-6 MT48LC8M32B2F5-7 MT48LC8M32B2P-6 MT48LC8M32B2P-7 MT48LC8M32B2TG MT48LC8M32B2TG-6 MT48LC8M32B2TG-7
Micron Technology
componentes Descripción : Synchronous DRAM
Micron Technology
componentes Descripción : Synchronous DRAM
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