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Número de pieza(s) : NEZ5258-4B NEZ5258-8B NEZ5258-8BD
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
componentes Descripción : 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
componentes Descripción : Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Dual Common Cathode Ultrafast Plastic Rectifier
componentes Descripción : Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
componentes Descripción : Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Ultrafast Rectifier (Rev - 2008)
componentes Descripción : Trench MOS Barrier Schottky Rectifier (Rev - 2018)
componentes Descripción : High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Ultrafast Rectifier
componentes Descripción : Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Dual Common-Cathode Ultrafast Recovery Rectifier
componentes Descripción : Trench MOS Barrier Schottky Rectifier (Rev - 2009)
componentes Descripción : Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
componentes Descripción : Trench MOS Barrier Schottky Rectifier (Rev - 2009)
componentes Descripción : Trench MOS Schottky technology (Rev - V4)
componentes Descripción : High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF= 5 A
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