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Número de pieza(s) : HY51V17403HG HY51V17403HG-5 HY51V17403HG-6 HY51V17403HG-7 HY51V17403HGL HY51V17403HGL-5 HY51V17403HGL-6 HY51V17403HGL-7 HY51VS17403HG HY51VS17403HG-5
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4M x 4Bit EDO DRAM
Número de pieza(s) : HYM364035GS-60 HYM364035S-60 Q67100-Q3016 Q67100-Q3017
Infineon Technologies
componentes Descripción : 4M × 36-Bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM364035S Q67100-Q3016 HYM364035S-60 HYM364035GS-60 Q67100-Q3017 HYM364035GS
Siemens AG
componentes Descripción : 4M × 36-Bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM64V4005GU-50 HYM64V4005GU-60 HYM64V4045GU-50 HYM64V4045GU-60 HYM72V4005GU HYM64V4045GU HYM64V4005GU Q67100-Q2187 HYM72V4005GU-50 HYM72V4005GU-60
Siemens AG
componentes Descripción : 3.3V 4M × 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM364025S Q67100-Q2366 HYM364025S-60 HYM364025S-50 HYM364025GS-60 HYM364025GS-50 Q67100-Q2367
Siemens AG
componentes Descripción : 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM364020GS-60 HYM364025GS-50 HYM364025GS-60 HYM364025S-50 HYM364025S-60 Q67100-Q2366 Q67100-Q2367
Infineon Technologies
componentes Descripción : 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Número de pieza(s) : HYM72V4015GS HYM72V4005GS-60 HYM72V4005GS-50 HYM72V4005GS HYM72V4005GS-50- HYM72V4015GS-50 HYM72V4015GS-60
Siemens AG
componentes Descripción : 4M × 72-Bit EDO-DRAM Module (ECC - Module)
Número de pieza(s) : 4C4M4EOQ-50TC 4C4M4EOQ-50JC 4C4M4EOQ-60JC 4C4M4EOQ-60TC AS4C4M4EOQ-50TC AS4C4M4EOQ-50JC AS4C4M4EOQ AS4C4M4E1Q-60TC AS4C4M4E1Q-60JC AS4C4M4E1Q-50TC
Alliance Semiconductor
componentes Descripción : 4M X 4 CMOS Quad CAS DRAM (EDO) family
Número de pieza(s) : K4S640432E-L1H K4S640432E-L1L K4S640432E-L75 K4S640432E K4S640432E-TC
Samsung
componentes Descripción : 64Mbit SDRAM 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Número de pieza(s) : K4S640432F K4S640432F-TC1H K4S640432F-TC1L K4S640432F-TC75 K4S640432F-TL1H K4S640432F-TL1L K4S640432F-TL75
Samsung
componentes Descripción : 64Mbit SDRAM 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Número de pieza(s) : NTE-DRAM
NTE Electronics
componentes Descripción : MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS
Número de pieza(s) : K4S640432D-TC K4S640432D K4S640432D-TC/L75 K4S640432D-TC/L80 K4S640432D-TC/L1H K4S640432D-TC/L1L K4S640432D-TC/L10
Samsung
componentes Descripción : 64Mbit SDRAM 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Número de pieza(s) : PD20900-4M PD45180-4M PD07540-4M PD04020-4M
Micronetics, Inc.
componentes Descripción : FOUR - WAY MULTI - OCTAVE ISOLATED POWER DIVIDERS / COMBINERS
Número de pieza(s) : HY51V18163HG-5 HY51V18163HG-6 HY51V18163HG-7 HY51VS18163HG-5 HY51VS18163HG-6 HY51VS18163HG-7
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 1M x 16Bit EDO DRAM
Número de pieza(s) : Q67100-Q2100 HYB514175BJ-50- HYB514175BJ-50 HYB514175BJ-55 HYB514175BJ-60 Q67100-Q2072 Q67100-Q2073
Siemens AG
componentes Descripción : 256k × 16-Bit EDO-DRAM
Número de pieza(s) : HY51V18163HG HY51V18163HGJ HY51V18163HGJ-5 HY51V18163HGJ-6 HY51V18163HGJ-7 HY51V18163HGL HY51V18163HGL-5 HY51V18163HGL-6 HY51V18163HGL-7 HY51V18163HGLJ-5
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 1M x 16Bit EDO DRAM
Número de pieza(s) : AS4LC4M4E0 AS4LC4M4E0-50JC AS4LC4M4E0-50JI AS4LC4M4E0-50TC AS4LC4M4E0-50TI AS4LC4M4E0-60JC AS4LC4M4E0-60JI AS4LC4M4E0-60TC AS4LC4M4E0-60TI AS4LC4M4E1
Alliance Semiconductor
componentes Descripción : 4Mx4 CMOS DRAM (EDO) Family
Número de pieza(s) : SRV05-4M SRV05-4M-T7
ProTek Devices.
componentes Descripción : ULTRA LOW CAPACITANCE STEERING DIODE/TVS ARRAY
Número de pieza(s) : HM5116405 HM5116405LS-5 HM5116405LS-6 HM5116405LS-7 HM5116405LTS-5 HM5116405LTS-6 HM5116405LTS-7 HM5116405S-5 HM5116405S-6 HM5116405S-7
Elpida Memory, Inc
componentes Descripción : (HM5116405 / HM5117405) 16M EDO DRAM
Número de pieza(s) : BGY67BO/4M
Philips Electronics
componentes Descripción : Optical receiver module
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