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Número de pieza(s) : SMJ44C251B-12HJM SMJ44C251B-12 SMJ44C251B-12HMM MT42C4256 MT42C4256C-12 MT42C4256C10 MT42C4256CZ-12 MT42C4256CZ10 MT42C4256DCJ-12 MT42C4256DCJ10
Austin Semiconductor
componentes Descripción : 256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
Número de pieza(s) : 5962-8949703MMA 5962-8949703MTA 5962-8949703MUA 5962-8949703MXA 5962-8949703MYA 5962-8949703MZA 5962-8949704MMA 5962-8949704MTA 5962-8949704MUA 5962-8949704MXA
Austin Semiconductor
componentes Descripción : 256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
Número de pieza(s) : SS32-SMA SS33-SAM SS34-SAM SS35-SAM SS36-SAM SS38-SAM SS310-SAM
DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD
componentes Descripción : Schottky rectifier
Número de pieza(s) : NTE-DRAM
NTE Electronics
componentes Descripción : MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS
Número de pieza(s) : M66272FP
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : LCD CONTROLLER with VRAM
Número de pieza(s) : M66273FP
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : LCD CONTROLLER with VRAM
Número de pieza(s) : UD61256 UD61256DC07 UD61256DC08 UD61256JC07 UD61256JC08
Unspecified
componentes Descripción : 256K x 1 DRAM
Número de pieza(s) : UD61256 UD61256DC07 UD61256DC08 UD61256JC07 UD61256JC08
Unspecified
componentes Descripción : 256K x 1 DRAM
Número de pieza(s) : UD61256 UD61256DC07 UD61256DC08 UD61256JC07 UD61256JC08
Zentrum Mikroelektronik Dresden AG
componentes Descripción : 256K x 1 DRAM
Número de pieza(s) : Q67100-Q2100 HYB514175BJ-50- HYB514175BJ-50 HYB514175BJ-55 HYB514175BJ-60 Q67100-Q2072 Q67100-Q2073
Siemens AG
componentes Descripción : 256K × 16-Bit EDO-DRAM
Número de pieza(s) : DS1217 DS1217A DS1217A/128K DS1217A/128K-25 DS1217A/16K DS1217A/16K-25 DS1217A/192K DS1217A/192K-25 DS1217A/256K DS1217A/256K-25
Dallas Semiconductor -> Maxim Integrated
componentes Descripción : Nonvolatile Read/Write Cartridge
Número de pieza(s) : AS4C256K16E0 AS4C256K16E0-30 AS4C256K16E0-30JC AS4C256K16E0-35 AS4C256K16E0-35JC AS4C256K16E0-50 AS4C256K16E0-50JC AS4C256K16E0-50TC
Alliance Semiconductor
componentes Descripción : 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)
Número de pieza(s) : AS4C256K16E0 AS4C256K16E0-30 AS4C256K16E0-35 AS4C256K16E0-50 AS4C256K16E0-30JC AS4C256K16E0-35JC AS4C256K16E0-50JC AS4C256K16E0-50TC
Alliance Semiconductor
componentes Descripción : 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)
Número de pieza(s) : HY534256AJ-70 HY534256AJ-80 HY534256ALJ-70 HY534256ALJ-80 HY534256ALS-60 HY534256ALS-70 HY534256ALS-80 HY534256AS-60 HY534256AS-70 HY534256AS-80
Hyundai Micro Electronics
componentes Descripción : 256K x 4-bit CMOS DRAM
Número de pieza(s) : HY534256AJ HY534256AJS HY534256AJS-60 HY534256AJS-70 HY534256AJS-80 HY534256AL HY534256AL-60 HY534256AL-70 HY534256AL-80 HY534256ALJ
Hyundai Micro Electronics
componentes Descripción : 256K x 4-bit CMOS DRAM
Número de pieza(s) : HY534256A HY534256AJ HY534256ALJ HY534256AS HY534256ALS
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 256K x 4-bit CMOS DRAM
Número de pieza(s) : UT51C164JC-25 UT51C164MC-25
Utron Technology Inc
componentes Descripción : 256K X 16 BIT EDO DRAM
Número de pieza(s) : M12L16161A M12L16161A-5TIG M12L16161A-7BIG M12L16161A-7TIG
[Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
componentes Descripción : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : MT4LC8M8B6 MT4LC8M8E1 MT4LC8M8E1DJ-5 MT4LC8M8E1DJ-5S MT4LC8M8E1TG-5 MT4LC8M8E1TG-5S MT4LC8M8B6DJ-5 MT4LC8M8B6DJ-5S MT4LC8M8B6TG-5 MT4LC8M8B6TG-5S
Micron Technology
componentes Descripción : 512K x 32 x 4banks, 143MHz DRAM
Número de pieza(s) : ISL6550A ISL6550AIB-T ISL6550AIR-T ISL6550CIB-T ISL6550CIR-T ISL6550AIB ISL6550AIR ISL6550C ISL6550CIB ISL6550CIR
Intersil
componentes Descripción : SAM (Supervisor And Monitor) (Rev - 2005)
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